Инвентаризация:4713

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 900mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A, 5A
  • Глубина 650pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Тип симистора 9nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 17578

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Инвентаризация: 18975

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC

Инвентаризация: 28874

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

Инвентаризация: 5008

Top