Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.4A, 4.5A
• Глубина 540pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 6.4A, 10V
• Тип симистора 12nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC