- Модель продукта FDS8858CZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:51603
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.6A, 7.3A
- Глубина 1205pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 8.6A, 10V
- Тип симистора 24nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8SOIC
Инвентаризация: 20524
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Инвентаризация: 34344
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Инвентаризация: 39603
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Инвентаризация: 28874
