Инвентаризация:22024

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A, 7A
  • Глубина 888pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 18nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC

Инвентаризация: 47757

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 20198

MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC

Инвентаризация: 50103

MOSFET N/P-CH 30V 8SO

Инвентаризация: 17813

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP

Инвентаризация: 1181

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO

Инвентаризация: 6801

Top