Инвентаризация:49257

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A, 3.2A
  • Глубина 450pF @ 30V, 930pF @30V
  • Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 4.5A, 10V
  • Тип симистора 10.5nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Инвентаризация: 432286

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 17578

MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

Инвентаризация: 299184

MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP

Инвентаризация: 2021

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 80304

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

Инвентаризация: 35673

Top