Инвентаризация:81804

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W, 3.4W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.3A, 3.9A
  • Глубина 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 4.3A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

Инвентаризация: 70888

MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Инвентаризация: 432286

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 17578

MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO

Инвентаризация: 6279

Top