Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W
• Внутренняя отделка контактов 55V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A, 3.4A
• Глубина 740pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4.7A, 10V
• Тип симистора 36nC @ 10V
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO