- Модель продукта IRF7343PBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 55V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A, 3.4A
- Глубина 740pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4.7A, 10V
- Тип симистора 36nC @ 10V
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
Инвентаризация: 47757
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Инвентаризация: 3860
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Инвентаризация: 6279
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Инвентаризация: 15813
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9102
