Инвентаризация:17313

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 2.4V @ 100µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 165 nC @ 10 V
  • 5250 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP

Инвентаризация: 3924

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC

Инвентаризация: 23380

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Инвентаризация: 16011

MOSFET P-CH 30V 20A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23

Инвентаризация: 28678

Top