Инвентаризация:3521

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Ta), 7A (Ta)
  • Глубина 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC

Инвентаризация: 47757

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 2868

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 3000

MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP

Инвентаризация: 1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Инвентаризация: 2478

MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC

Инвентаризация: 10025

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN

Инвентаризация: 5100

Top