- Модель продукта HP8M31TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1501
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.5A (Ta)
- Глубина 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
- Тип симистора 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
Инвентаризация: 2021
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 13702
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Инвентаризация: 5100
