Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta), 3.6W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
• Глубина 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
• Тип симистора 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC