Инвентаризация:1879

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 27W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • Глубина 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3

Инвентаризация: 3030

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 2868

MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW

Инвентаризация: 2165

MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC

Инвентаризация: 10025

MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Инвентаризация: 4851

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 5990

MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Инвентаризация: 2899

Top