Инвентаризация:3665

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 533A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.48mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFNW (8.3x8.4)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 187 nC @ 10 V
  • 11800 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

Инвентаризация: 90

T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

Инвентаризация: 2939

MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW

Инвентаризация: 3000

MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8

Инвентаризация: 379

Top