Инвентаризация:8301

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.25W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A, 3.4A
  • Глубина 600pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 7.8A, 10V
  • Тип симистора 12.2nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 20198

MOSFET N/P-CH 30V 8SO

Инвентаризация: 17813

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

Инвентаризация: 7541

MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC

Инвентаризация: 22633

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP

Инвентаризация: 1181

Top