Инвентаризация:21698

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A, 4.2A
  • Глубина 501pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7.4A, 10V
  • Тип симистора 9.8nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 52890

MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO

Инвентаризация: 8701

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

Инвентаризация: 70080

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO

Инвентаризация: 34344

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

Инвентаризация: 128745

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23

Инвентаризация: 44703

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Инвентаризация: 71057

Top