Инвентаризация:71580

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.5A, 7A
  • Глубина 767pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 16.1nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 52890

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 20198

MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/8A 8SO

Инвентаризация: 2365

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO

Инвентаризация: 34344

MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

Инвентаризация: 11511

MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8

Инвентаризация: 3209

Top