Инвентаризация:13011

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.8W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.3A
  • Глубина 1790.8pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 3A, 10V
  • Тип симистора 37.56nC @ 10V
  • Барьерный тип 1.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 3.4A 6TSOP

Инвентаризация: 162187

MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L

Инвентаризация: 2925

MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

Инвентаризация: 3000

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

Инвентаризация: 17667

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88

Инвентаризация: 50648

Top