Инвентаризация:10201

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A, 6.2A
  • Глубина 1415pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 12A, 10V
  • Тип симистора 25.1nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 16839

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

Инвентаризация: 70080

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Инвентаризация: 20198

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO

Инвентаризация: 17464

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

Инвентаризация: 58448

MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

Инвентаризация: 3923

Top