- Модель продукта IPB60R299CPAATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5423
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 299mOhm @ 6.6A, 10V
- Материал феррулы 96W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 440µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3-2
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 29 nC @ 10 V
- 1100 pF @ 100 V
- AEC-Q101