Инвентаризация:33512

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.5A (Ta), 18A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 8.5A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 31W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 46 nC @ 10 V
  • 2045 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Инвентаризация: 71576

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

Инвентаризация: 12474

JFET N-CH 25V SOT23-3

Инвентаризация: 12724

TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 53

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

Инвентаризация: 143012

Top