Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.3A (Ta), 16A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 29W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 29 nC @ 10 V
  • 1680 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 68V 3W SMB

Инвентаризация: 3

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

Инвентаризация: 32012

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Инвентаризация: 71576

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

Инвентаризация: 11181

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

Инвентаризация: 9009

MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3

Инвентаризация: 5002

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Инвентаризация: 80560

MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB

Инвентаризация: 416629

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

Инвентаризация: 9255

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 11695

Top