Инвентаризация:12681

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16.9A (Ta), 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 57 nC @ 10 V
  • 3890 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP

Инвентаризация: 3000

Top