Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.8W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.8A, 6.3A
  • Глубина 1149pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7A, 4.5V
  • Тип симистора 11.6nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Инвентаризация: 112891

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

Инвентаризация: 2600

MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 3213

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

Инвентаризация: 5008

MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET

Инвентаризация: 2836

Top