Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric L8
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Ta), 200A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 1.5mOhm @ 120A, 10V
• Материал феррулы 3.3W (Ta), 125W (Tc)
• Барьерный тип 4V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric L8
• Длина ремня 10V
• Шаг Количество ±20V
• 60 V
• 300 nC @ 10 V
• 12320 pF @ 25 V