Инвентаризация:22236

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 70 nC @ 10 V
  • 2900 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 14607

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Инвентаризация: 18975

TRANS 2NPN 40V 0.5A SUPERSOT-6

Инвентаризация: 76974

MOSFET N-CH 150V 120A TO268

Инвентаризация: 30

Top