Инвентаризация:16107

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 45 nC @ 10 V
  • 2200 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 40A TO252

Инвентаризация: 67765

TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

Инвентаризация: 1971

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Инвентаризация: 46929

MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA

Инвентаризация: 3939

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Инвентаризация: 327

MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC

Инвентаризация: 4064

MOSFET N-CH 60V 12A 8SO

Инвентаризация: 14677

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14DIP

Инвентаризация: 3064

Top