Инвентаризация:38761

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 56.9 nC @ 10 V
  • 2444 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 103595

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23

Инвентаризация: 28678

MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89

Инвентаризация: 100108

Top