Инвентаризация:10354

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 16.7W, 31W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A, 40A
  • Глубина 760pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
  • Тип симистора 19nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

Инвентаризация: 12507

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

Инвентаризация: 2350

MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

Инвентаризация: 6452

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

Инвентаризация: 64955

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

Инвентаризация: 16381

MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33

Инвентаризация: 5821

MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR

Инвентаризация: 16133

Top