- Модель продукта RF4E070GNTR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3850
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerUDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 21.4mOhm @ 7A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение HUML2020L8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 4.8 nC @ 10 V
- 220 pF @ 15 V