- Модель продукта RF4E110GNTR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7952
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerUDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 11.3mOhm @ 11A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение HUML2020L8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 7.4 nC @ 10 V
- 504 pF @ 15 V