Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TA)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 38W (Tc), 83W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
• Глубина 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-PowerPair® (6x5)