Инвентаризация:21477

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 12W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A
  • Глубина 3190pF @ 15V
  • Тип симистора 19nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-LSON (5x6)

Сопутствующие товары


HEAT SINK 17MM X 17MM X 24.5MM

Инвентаризация: 1115

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON

Инвентаризация: 23708

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

Инвентаризация: 28774

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

Инвентаризация: 239

MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON

Инвентаризация: 19804

MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR

Инвентаризация: 16133

Top