- Модель продукта CSD86330Q3D
- Бренд Texas Instruments
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:25208
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerLDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 6W
- Внутренняя отделка контактов 25V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A
- Глубина 920pF @ 12.5V
- Сопротивление при 25°C 9.6mOhm @ 14A, 8V
- Тип симистора 6.2nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-LSON (3.3x3.3)