Инвентаризация:25208

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 6W
  • Внутренняя отделка контактов 25V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 920pF @ 12.5V
  • Сопротивление при 25°C 9.6mOhm @ 14A, 8V
  • Тип симистора 6.2nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-LSON (3.3x3.3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON

Инвентаризация: 5173

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET

Инвентаризация: 1490

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

Инвентаризация: 28774

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

Инвентаризация: 19977

Top