Инвентаризация:1739

Технические детали

  • Тип монтажа 5-LGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 8W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A
  • Глубина 1150pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 7.7mOhm @ 25A, 8V
  • Тип симистора 9.2nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.9V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 5-PTAB (5x3.5)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

Инвентаризация: 19977

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

Инвентаризация: 16051

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

Инвентаризация: 812

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

Инвентаризация: 12374

Top