Инвентаризация:25859

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.65A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 810mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 33.7 nC @ 10 V
  • 1643 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 193571

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333

Инвентаризация: 68100

MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333

Инвентаризация: 5840

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

Инвентаризация: 9710

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 5000

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 38938

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

Инвентаризация: 107467

Top