Инвентаризация:7340

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.65A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 810mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 14 nC @ 4.5 V
  • 1643 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333

Инвентаризация: 24359

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 3630

MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN

Инвентаризация: 29566

Top