Инвентаризация:11210

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 57A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 21A, 10V
  • Материал феррулы 54W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 110µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 20 nC @ 6 V
  • 2090 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

Инвентаризация: 11783

PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8

Инвентаризация: 4221

MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN

Инвентаризация: 3002

Top