- Модель продукта NTTFS012N10MDTAG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5721
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.2A (Ta), 45A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14.4mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 2.7W (Ta), 62W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 78µA
- Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 13 nC @ 10 V
- 965 pF @ 50 V