Инвентаризация:3871

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 5.7A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 24 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333

Инвентаризация: 17007

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 13229

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

Инвентаризация: 1286

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8

Инвентаризация: 5964

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

Инвентаризация: 12410

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Инвентаризация: 980

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Инвентаризация: 617

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

Инвентаризация: 8764

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top