Инвентаризация:2786

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 95mOhm @ 11.8A, 10V
  • Материал феррулы 128W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 590µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-1
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 45 nC @ 10 V
  • 2140 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333

Инвентаризация: 17007

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN

Инвентаризация: 191

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Инвентаризация: 0

650V FET COOLMOS TO247

Инвентаризация: 489

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

Инвентаризация: 337

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

Инвентаризация: 2403

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

Инвентаризация: 226

MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3

Инвентаризация: 260

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Инвентаризация: 427

Top