- Модель продукта SIS782DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 10A, 10V
- Тип подключения Schottky Diode (Body)
- Материал феррулы 41W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 30.5 nC @ 10 V
- 1025 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Инвентаризация: 1182
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Инвентаризация: 980
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8248
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Инвентаризация: 19073
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
