Инвентаризация:13910

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 5.7A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 24 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 20VQFN

Инвентаризация: 5866

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

Инвентаризация: 2371

MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8

Инвентаризация: 5982

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

Инвентаризация: 11326

Top