- Модель продукта SIRA14BDP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7482
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 64A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.38mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.7W (Ta), 36W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 22 nC @ 10 V
- 917 pF @ 15 V