- Модель продукта SI7153DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 52W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 30 V
- 93 nC @ 10 V
- 3600 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SOT25
Инвентаризация: 136642
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Инвентаризация: 299184
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Инвентаризация: 13605
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Инвентаризация: 50792
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Инвентаризация: 56729
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Инвентаризация: 19073
