- Модель продукта SI5513CDC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.1W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A, 3.7A
- Глубина 285pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Тип симистора 4.2nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Инвентаризация: 8417
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4A 6DFN
Инвентаризация: 5732
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Инвентаризация: 28388
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 13755
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 35673
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 5900
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Инвентаризация: 11775
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 13008
