- Модель продукта SI5515CDC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:13275
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.1W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 632pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 6A, 4.5V
- Тип симистора 11.3nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 800mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Инвентаризация: 1379
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Инвентаризация: 7194
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Инвентаризация: 10590
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Инвентаризация: 9327
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
Инвентаризация: 0
