- Модель продукта TT8M1TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:10827
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A
- Глубина 260pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Тип симистора 3.6nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-TSST