Инвентаризация:8694

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.1W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A, 3.2A
  • Глубина 165pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Тип симистора 2.3nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение ChipFET™

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 49A TDSON

Инвентаризация: 22013

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Инвентаризация: 5905

MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST

Инвентаризация: 0

Top