- Модель продукта SI5902BDC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:12090
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.12W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 220pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 65mOhm @ 3.1A, 10V
- Тип симистора 7nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Инвентаризация: 11775
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
Инвентаризация: 0
